【新版】

存储器晶体管,存储器加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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1、非易失性半导体存储器晶体管、非易失性半导体存储器及非易失性半导体存储器的制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种非易失性半导体存储器晶体管、非易失性半导体存储器及非易失性半导体存储器的制造方法，可增大浮置栅极与控制栅极间的电容，并且可降低控制栅极与岛状半导体间的寄生电容。构成非易失性半导体存储器的非易...

2、非易失性半导体存储器晶体管、非易失性半导体存储器及非易失性半导体存储器的制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种形成具有一双面晶体管的一动态随机存取存储器的方法和一种场效晶体管结构，包含有：提供一硅鳍式场效晶体管结构，其具有至少两个鳍片和位于所述两个鳍片之间的一沟槽；在每一鳍片的两侧形成多个高电阻门极...

3、双面晶体管动态随机存取存储器的方法与双面晶体管结构

[简介]：本套资料主要内容为一种非易失性半导体存储器晶体管及非易失性半导体存储器的制造方法，可增大浮置—控制栅极间的电容，该非易失性半导体存储器晶体管具备：岛状半导体，从硅衬底侧依序形成源极区域、沟道区域及漏极区域；浮置栅极...

4、非易失性半导体存储器晶体管及非易失性半导体存储器的制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种非易失性半导体存储器晶体管及非易失性半导体存储器的制造方法，具有使用岛状半导体的构造，可增大浮置栅极与控制栅极间的电容。非易失性半导体存储器晶体管具有：岛状半导体301，从硅衬底侧依序形成有源...

5、非易失性半导体存储器晶体管及非易失性半导体存储器的制造方法

[简介]：本套资料提供一种八晶体管静态随机存储器单元，至少包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；传输门，由第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管第五NMOS晶体管及第...

6、一种八晶体管静态随机存储器单元

[简介]：公开一种在半导体基板12上制造的半导体器件。第一绝缘层18被形成于半导体基板上以用作半导体基板12的第一区域14内的高压晶体管38的栅极电介质。在第一绝缘层18形成之后，第二绝缘层24被形成于半导体基板1...

7、具有高压晶体管、非易失性存储器晶体管及逻辑晶体管的半导体器件的制造方法

[简介]：本套资料提供一种六晶体管静态随机存储器单元，所述存储器单元至少包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；传输门，由第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体管组...

8、一种六晶体管静态随机存储器单元

[简介]：本套资料涉及集成电路中模拟浮动栅极电极及其制造方法，其中捕获的电荷可被长时间存储。该模拟浮动栅极电极在多晶硅栅极水平形成，其整个长度为n型掺杂，并包括用作n沟道和p沟道MOS晶体管的栅极电极的部分；金属-多晶硅存储电...

9、采用N沟道和P沟道MOS晶体管的模拟浮动栅极存储器制造工艺

[简介]：本套资料涉及具有PMOS存取晶体管的存储器电路。描述了一种存储器电路，其包括存储器存储单元和耦合至该存储器存储单元的存取晶体管，其中存取晶体管包括PMOS晶体管。在一种实现方式中，存储器电路进一步包括耦合至所述存储器...

10、具有PMOS存取晶体管的存储器电路

[简介]：本套资料提供一种具有多层隧道绝缘体的存储器单元晶体管及存储器器件。一种存储器单元晶体管包括：有源区，该有源区在第一延伸方向上伸长；该有源区上的隧道层，该隧道层包括第一隧道绝缘层、第一隧道绝缘层上的第二隧道绝缘层...

11、具有多层隧道绝缘体的存储器单元晶体管及存储器器件

[简介]：提供一种存储器器件340，其包括写入位线452、读取位线454和至少一个存储器单元410。该存储器单元410包括写入存取晶体管470、耦合于该读取位线454并耦合于该第一写入存取晶体管470的读取存取晶体管480和...

12、具有独立的读取和写入存取晶体管的栅极横向晶闸管随机存取存储器GLTRAM单元及具有该GLTRAM的存储器器件和集成电路

[简介]：本套资料提供一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法，属于存储器设计及制造技术领域，所述存储器单元包括两个反相器及传输门，所述反相器由一结构对称的NMOS晶体管及结构对称的PMOS晶体管互连组成，所述传输门由两个源...

13、一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法

[简介]：本套资料属于半导体存储器技术领域，具体涉及一种集成阻变存储器器件的隧穿晶体管结构及其制造方法。本套资料的隧穿晶体管结构包括一个半导体衬底，在半导体衬底上形成的隧穿晶体管与阻变存储器；隧穿晶体管的栅介质层延伸至所...

14、一种集成阻变存储器器件的隧穿晶体管结构及其制造方法

[简介]：本套资料属于20纳米以下的半导体存储器技术领域，具体涉及一种集成阻变存储器的MOS晶体管结构的制造方法。本套资料通过自对准工艺形成MOS晶体管的源区和漏区，并且通过一次原子层淀积工艺淀积高质量的MOS晶体管的栅介质层与阻...

15、一种集成阻变存储器的MOS晶体管结构的制造方法

[简介]：本套资料属于半导体存储器技术领域，具体涉及一种集成阻变存储器的MOS晶体管结构及其制造方法。本套资料提出的集成阻变存储器的MOS晶体管结构包括在衬底上形成的MOS晶体管和阻变存储器，所述MOS晶体管的栅介质层延伸至所述MO...

16、一种集成阻变存储器的MOS晶体管结构及其制造方法

[简介]：本套资料涉及半导体制造技术领域，主要内容为一种基于忆阻器和晶体管的存储器，包括串联的高迁移率晶体管和忆阻器，所述高迁移率晶体管是以锗或者III-V族材料作为衬底和沟道材料的MOS晶体管。本套资料还提供了一种利用该存储器实现...

17、基于忆阻器和晶体管的存储器及实现多阻态的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种存储器结构，其包含有有源区域，被第一绝缘沟槽及第二绝缘沟槽包围，第一绝缘沟槽沿着一第一方向延伸，第二绝缘沟槽沿着一第二方向延伸；位线沟槽，凹入有源区域中，该位线沟槽沿着一第二方向延伸并横截该第...

18、单晶体管单电阻器电阻式存储器元件及其制作方法

[简介]：本套资料主要内容为一种具有非捕捉型开关晶体管的存储器装置及其制造方法。该制造方法包含：首先形成一介电材料多层叠层于多个半导体长条上，接着曝露位于开关晶体管区的多层叠层；显影曝露位于开关晶体管区的多层叠层以形成不同...

19、具有非捕捉型开关晶体管的存储器装置及其制造方法

[简介]：本套资料提供一种具有垂直晶体管的4F2存储器阵列结构及其形成方法，该阵列结构包括：衬底；位于衬底上的多个存储单元，每个存储单元包括垂直晶体管，垂直晶体管的栅极位于沿第一方向延伸且与垂直晶体管的半导体柱相邻的第一沟...

20、具有垂直晶体管的存储器阵列结构及其形成方法

[简介]：非易失性存储器器件具有在第一方向上延伸的第一导体和在第一导体之上的半导体元件。该半导体元件包括场效应晶体管（JFET或者MOSFET）的源极、漏极和沟道。该非易失性存储器器件还包括在半导体元件之上的第二导体，该第二导体...

21、包括传送晶体管及垂直读取写入启用晶体管的无电容器浮体易失性存储器单元及其制造及编程方法

22、包括传送晶体管及垂直读取写入启用晶体管的无电容器浮体易失性存储器单元及其制造及编程方法

23、一种后栅极单晶体管动态随机存储器的制作方法

24、一种后栅极单晶体管动态随机存储器的制备方法

25、后栅极两晶体管零电容动态随机存储器的制备方法

26、没有编程干扰的三晶体管（NPN）非易失性存储器单元

27、在每一存储器元件周围使用包围式晶体管的具有栅格阵列的可变电阻存储器

28、垂直晶体管相变存储器

29、具有PMOS-NMOS-PMOS-NMOS结构的4晶体管非易失性存储器单元

30、五晶体管非易失性存储器单元

31、全NMOS四晶体管非易失性存储器单元

32、不需要专用选择器晶体管的自选择相变存储器设备

33、使用自旋MOS晶体管的非易失性存储器电路

34、自旋存储器和自旋晶体管

35、包括垂直晶体管阵列的电阻性存储器器件和相关制造方法

36、具有可调整栅极电阻值的晶体管的半导体存储器元件

37、具有晶体管与电阻值切换装置并联的非挥发性存储器装置

38、用于交叉点存储器阵列的垂直定向的选择晶体管

39、于二晶体管NOR结构中的能隙工程电荷捕捉存储器

40、具有垂直信道存取晶体管及存储器平面的相变化存储单元

41、二晶体管快闪存储器及二晶体管快闪存储器的编程方法

42、二晶体管快闪存储器及二晶体管快闪存储器的编程方法

43、一种体硅浮体晶体管存储器的刷新操作方法

44、具有选择晶体管的集成电路存储器器件

45、使用双技术晶体管的低泄漏高性能静态随机存取存储器单元

46、相变化存储器的多晶硅栓塞双极性晶体管及其制造方法

47、具有非平面浮动栅极的存储器晶体管及其制造方法

48、具有电浮置体晶体管的存储器单元和存储器单元阵列及其操作方法

49、绿色晶体管、电阻随机存储器及其驱动方法

50、二晶体管结构的快速存取非易失性存储器存储单元

51、一种带读电压偏置NMOS晶体管的电阻转换存储器

52、一种基于垂直晶体管的磁性多层膜随机存储器

53、静态随机存储器中晶体管的测试结构

54、用SONOS晶体管作选择管的存储器单元

55、利用两个选通晶体管的多值存储器存储

56、晶体管结构、动态随机存取存储器结构及其制造方法

57、在绝缘体随机存取存储器上的单一晶体管存储单元

58、静态随机存储器上拉晶体管阈值电压调整方法

59、非易失存储器设备编程选择晶体管以及对其编程的方法

60、二晶体管式静态随机存取存储器及其记忆胞

61、用于自旋转移力矩磁阻随机存取存储器中的读取和写入的字线晶体管强度控制

62、用于自旋转移力矩磁阻随机存取存储器中的读取和写入的字线晶体管强度控制

63、薄型晶体管结构和动态随机存取存储器及其制造方法

64、非易失性存储器晶体管、堆叠式存储装置及其制造方法

65、具有凹陷式栅极的动态随机存取存储器晶体管及其制作方法

66、无电容器单晶体管浮体动态随机存取存储器单元及其形成方法

67、高压晶体管和存储器的形成方法

68、由低电压晶体管实现的用于半导体存储器的电平转换器

69、基于自旋滤波器效应的自旋晶体管和利用自旋晶体管的非易失存储器

70、基于自旋滤波器效应的自旋晶体管和利用自旋晶体管的非易失存储器

71、具有纳米管晶体管存取装置的存储器

72、包括可切换电阻器和晶体管的非易失性存储器单元

73、晶体管和使用了晶体管的半导体存储器

74、用于4.5F2动态随机存取存储器单元的具有接地栅极的沟槽隔离晶体管和其制造方法

75、具有作为开关单元的晶体管和二极管的非易失性存储器

76、采用单个晶体管的高密度半导体存储器单元和存储器阵列

77、用于紧密间距存储器阵列线的晶体管布局配置

78、具有埋入衬底的栅的动态随机存取存储器晶体管及其形成方法

79、存储器的晶体管结构及其制造方法

80、自旋晶体管、可编程逻辑电路和磁存储器

81、以单一掩模组结合只读元件的非易失性晶体管存储器阵列

82、以单一掩模组结合只读元件的非易失性晶体管存储器阵列

83、具有表面下台阶式浮栅的双电可擦可编程只读存储器型存储晶体管

84、晶体管结构、存储单元及其阵列、及存储器制造方法

85、具有栅极电介质结构易失性存储器的晶体管及其制造方法

86、垂直的纳米晶体管其制造方法和存储器结构

87、具有选择晶体管的电可擦可编程只读存储器及其制造方法

88、制造非挥发性存储器晶体管的方法

89、具有单层多晶硅的镜像非易失性存储器单元晶体管对

90、用于非易失性存储器中的基准晶体管的可变栅偏置

91、具有自旋相关转移特性的隧道晶体管及使用了它的非易失性存储器

92、具有自旋相关转移特性的隧道晶体管及使用了它的非易失性存储器

93、薄膜晶体管存储器和具备该存储器的显示装置

94、基于忆阻器和薄膜晶体管的柔性存储器及多阻态的实现

95、包括每个有浮动栅和控制栅极的MOS晶体管的半导体存储器

96、存储多位的晶体管以及制造包括它的半导体存储器的方法

97、使用背侧捕获的可缩放纳米晶体管和存储器

98、形成场效应晶体管的方法、多个场效应晶体管及包括多个存储器单元的动态随机存取存储器电路

99、高密度氮化物只读存储器鳍形场效晶体管

100、鳍形场效晶体管半导体存储器的字线和位线排列

101、背棚MOS晶体管及其制作方法和静态随机存储器

102、背棚MOS晶体管及其制作方法和静态随机存储器

103、晶体管、晶体管阵列、制造晶体管阵列的方法和非易失半导体存储器

104、具沟槽晶体管氮化物只读存储器记忆单元的制造方法

105、抑制了电流路径上的晶体管组的电阻的薄膜磁性体存储器

106、使用单晶体管的高密度半导体存储单元和存储器陈列

107、无电容单一晶体管动态随机存取存储器单元及制造方法

108、使用独立栅极鳍式场效应晶体管的稳定静态随机存取存储器位单元设计

109、刷新同温度成比例的单晶体管存储器的方法和结构

110、集成晶体管存储器结构的矩阵可寻址阵列

111、具有以有机半导体为基础的晶体管及非易失性读存储器胞元的半导体装置

112、用碳纳米管晶体管设计的高集成度单电子存储器

113、利用两端垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器

114、两端垂直结构的碳纳米管晶体管做的单电子存储器及制法

115、用垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器及制法

116、用碳纳米管单电子晶体管和碳纳米管晶体管设计的存储器

117、利用栅极互耦驱动的负载晶体管读取数据的快速存储器

118、包括无结的薄膜晶体管的存储器设备

119、基于有机场效应晶体管的存储单元、存储器及其制备方法

120、新型动态随机存取存储器存取晶体管

121、形成存储器单元阵列的方法、形成多个场效应晶体管的方法、形成源极漏极区域及隔离沟槽的方法及在衬底中形成一系列间隔沟槽的方法

122、形成存储器单元阵列的方法、形成多个场效应晶体管的方法、形成源极漏极区域及隔离沟槽的方法及在衬底中形成一系列间隔沟槽的方法

123、具有垂直结构晶体管的磁性随机存取存储器及其制造方法

124、忆容器装置、场效应晶体管装置、非易失性存储器阵列及编程方法

125、有超短栅特征的晶体管和存储器单元及其制造方法

126、一种双极晶体管选通的阻变存储器、阵列及其制造方法

127、场效应晶体管、半导体存储器、显示元件、图像显示设备和系统

128、具有垂直超薄体晶体管的可编程存储器的寻址和译码器电路

129、具有垂直超薄体晶体管的开放位线动态随机存储器

130、带有超薄垂直体晶体管的快速存储器

131、具有纵向超薄体晶体管的折叠位线动态随机存取存储器

132、绿色晶体管、纳米硅铁电存储器及其驱动方法

133、绿色晶体管、纳米硅铁电存储器及其驱动方法

134、一种薄膜晶体管存储器及其制备方法

135、一种具有平坦式区块选择晶体管的高密度掩模式非挥发性存储器阵列结构

136、一种背栅薄膜晶体管存储器的制备方法

137、串联晶体管型一次可编程存储器的读取方法

138、垂直沟道晶体管以及包括垂直沟道晶体管的存储器件

139、用于DRAM存储器的带有垂直晶体管的写入放大器读出放大器

140、具有结场效应晶体管装置结构的低功率存储器装置

141、适用于非易失性存储器的隧道晶体管

142、适用于非易失性存储器的隧道晶体管

143、有机场效应晶体管存储器的编程方法

144、半导体场效应晶体管、存储器单元和存储器设备

145、测试具有易受由偏置温度不稳定性所造成的阈值电压偏移影响的场效应晶体管的存储器装置

146、用于基于天然纤维素纤维或合成纤维或其组合使用并产生纸张作为用于具有使用有源半导体氧化物的存储器的自支持型结场效应晶体管中的电荷的物理支撑体和存储介质的工艺

147、具有含有一个铁电存储器晶体管的存储单元的集成存储器

148、一种自旋场效应晶体管及其磁性存储器

149、晶体管系存储器单元及相关的操作方法

150、4F平方自对准鳍底电极场效应晶体管驱动相变化存储器

151、包括双极晶体管存取装置的电阻式存储器

152、结合薄膜和体Si晶体管的合并逻辑和存储器

153、自旋存储器和自旋场效应晶体管

154、存储器件特别是具有晶体管的相变随机存取存储器件以及用于制造存储器件的方法

155、具有非易失性双晶体管存储单元的半导体存储器

156、具有基于碳化硅的非晶硅薄膜晶体管的堆叠非易失性存储器及其制造方法

157、具有邻近驱动晶体管源极小区域的静态随机存取存储器

158、基于浮栅结构的非易失性有机薄膜晶体管存储器及其制造方法

159、具有旁路晶体管的非易失性存储器件及其操作方法

160、一种实现存储器功能的场效应晶体管及其制备方法

161、用于交叉点存储器的薄膜晶体管及其制造方法

162、用于交叉点存储器的薄膜晶体管及其制造方法

163、自旋注入场效应晶体管、磁随机存取存储器和可重构逻辑电路

164、具有多个MOS晶体管的半导体存储器件及其控制方法

165、6F2存取晶体管配置和半导体存储器件

166、包括一电阻器和一晶体管的非易失存储器件

167、在存储器件中制造三沟道晶体管的方法

168、具有沟槽侧壁晶体管的非易失性存储器件及其制造方法

169、存储器件，晶体管，存储单元，以及其制造方法

170、具对称性选择晶体管的快闪存储器的布局

171、包括高压晶体管的非易失性存储器件及其制造方法

172、三维薄膜晶体管式纳米晶粒存储器元件及其制法

173、晶体管型铁电体存储器及其制造方法

174、具有自旋相关转移特性的场效应晶体管及使用了它的非易失性存储器

175、MFS型场效应晶体管及其制造方法、强电介质存储器及半导体装置

176、使用铁电栅极场效应晶体管的非易失性存储器和制造方法

177、基于有机薄膜晶体管的透明变色多重防伪闪速存储器件及其制造方法和应用

178、利用反馈金属氧化物半导体场效应晶体管的抗单击扰动的静态随机存取存储器

179、单一晶体管型随机存取存储器的制造方法及其电容器结构

180、单一晶体管型随机存取存储器结构

181、基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器

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